FJP13007TU

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Spécifications

Modèle de produit

FJP13007TU
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

TRANS NPN 400V 8A TO220
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.FJP13007TU.pdf
2.FJP13007TU.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

400V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

3V @ 2A, 8A
Transistor Type

NPN
Package composant fournisseur

TO-220-3
Séries

-
Puissance - Max

80W
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-220-3
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition

4MHz
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor NPN 400V 8A 4MHz 80W Through Hole TO-220-3
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

5 @ 5A, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

-
Courant - Collecteur (Ic) (max)

8A
Numéro de pièce de base

FJP13007

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Ce qui suit est des produits liés à "FJP13007TU".

FJP3305

La description: TRANS NPN 400V 4A TO-220

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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