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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - Single, pré biaisé > FJV3114RMTF
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FJV3114RMTF

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Spécifications
  • Modèle de produit
    FJV3114RMTF
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 500µA, 10mA
  • Transistor Type
    NPN - Pre-Biased
  • Package composant fournisseur
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Séries
    -
  • Résistance - Base de l'émetteur (R2)
    47 kOhms
  • Résistance - Base (R1)
    4.7 kOhms
  • Puissance - Max
    200mW
  • Emballage
    Original-Reel®
  • Package / Boîte
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Autres noms
    FJV3114RMTFDKR
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    13 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Fréquence - Transition
    250MHz
  • Description détaillée
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  • Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    68 @ 5mA, 5V
  • Courant - Collecteur Cutoff (Max)
    100nA (ICBO)
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    100mA
  • Numéro de pièce de base
    FJV3114
FJV4109RMTF

FJV4109RMTF

La description: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

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FJV4105RMTF

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FJV4103RMTF

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FJV3112RMTF

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FJV3115RMTF

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FJV3113RMTF

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FJV3106RMTF

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