FPNH10

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Spécifications

Modèle de produit

FPNH10
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

TRANSISTOR RF NPN 25V 50MA TO-92
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

FPNH10.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

25V
Transistor Type

NPN
Package composant fournisseur

TO-92-3
Séries

-
Puissance - Max

350mW
Emballage

Bulk
Package / Boîte

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Noise Figure (dB Typ @ f)

-
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Gain

-
Fréquence - Transition

650MHz
Description détaillée

RF Transistor NPN 25V 50mA 650MHz 350mW Through Hole TO-92-3
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 4mA, 10V
Courant - Collecteur (Ic) (max)

50mA

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FPN430A

La description: TRANS PNP 30V 2A TO-226

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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