FQAF10N80

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Spécifications

Modèle de produit

FQAF10N80
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 800V 6.7A TO-3PF
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

FQAF10N80.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-3PF
Séries

QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.05 Ohm @ 3.35A, 10V
Dissipation de puissance (max)

113W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

SC-94
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2700pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

71nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

800V
Description détaillée

N-Channel 800V 6.7A (Tc) 113W (Tc) Through Hole TO-3PF
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

6.7A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "FQAF10N80".

FQAF12N60

La description: MOSFET N-CH 600V 7.8A TO-3PF

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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FQAF10N80

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