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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > FQAF44N10

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94862

FQAF44N10 image

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FQAF44N10

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Spécifications

Modèle de produit

FQAF44N10
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 100V 33A TO-3PF
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

FQAF44N10.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-3PF
Séries

QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

39 mOhm @ 16.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)

85W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

SC-94
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1800pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

62nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

100V
Description détaillée

N-Channel 100V 33A (Tc) 85W (Tc) Through Hole TO-3PF
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

33A (Tc)

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Expédition

Paiement

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Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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La description: MOSFET N-CH 900V 4.5A TO-3PF

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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