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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > FQB630TM

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AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FQB630TM

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Spécifications

Modèle de produit

FQB630TM
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

FQB630TM.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

D²PAK (TO-263AB)
Séries

QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

400 mOhm @ 4.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)

3.13W (Ta), 78W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

550pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

200V
Description détaillée

N-Channel 200V 9A (Tc) 3.13W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

9A (Tc)

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Expédition

Paiement

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FQB6N90TM_AM002

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La description: MOSFET P-CH 100V 4.5A D2PAK

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La description: MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK

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