FQD7P06TM

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Spécifications

Modèle de produit

FQD7P06TM
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.FQD7P06TM.pdf
2.FQD7P06TM.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

D-Pak
Séries

QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

451 mOhm @ 2.7A, 10V
Dissipation de puissance (max)

2.5W (Ta), 28W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms

FQD7P06TM-ND
FQD7P06TMTR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

6 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

295pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

8.2nC @ 10V
type de FET

P-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

60V
Description détaillée

P-Channel 60V 5.4A (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount D-Pak
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

5.4A (Tc)

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "FQD7P06TM".

FQD7P20TF

La description: MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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