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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > FQI12N60TU

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FQI12N60TU image

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FQI12N60TU

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Spécifications

Modèle de produit

FQI12N60TU
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 600V 10.5A I2PAK
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

FQI12N60TU.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

I2PAK (TO-262)
Séries

QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

700 mOhm @ 5.3A, 10V
Dissipation de puissance (max)

3.13W (Ta), 180W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1900pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

54nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

600V
Description détaillée

N-Channel 600V 10.5A (Tc) 3.13W (Ta), 180W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

10.5A (Tc)

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Paiement

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