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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > FQI8P10TU

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FQI8P10TU image

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FQI8P10TU

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Spécifications

Modèle de produit

FQI8P10TU
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET P-CH 100V 8A I2PAK
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

FQI8P10TU.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

I2PAK (TO-262)
Séries

QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

530 mOhm @ 4A, 10V
Dissipation de puissance (max)

3.75W (Ta), 65W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

470pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V
type de FET

P-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

100V
Description détaillée

P-Channel 100V 8A (Tc) 3.75W (Ta), 65W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

8A (Tc)

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Expédition

Paiement

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La description: MOSFET N-CH 500V 9A I2PAK

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