FQP3N80

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Spécifications

Modèle de produit

FQP3N80
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 800V 3A TO-220
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.FQP3N80.pdf
2.FQP3N80.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-220-3
Séries

QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

5 Ohm @ 1.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)

107W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-220-3
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

690pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

19nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

800V
Description détaillée

N-Channel 800V 3A (Tc) 107W (Tc) Through Hole TO-220-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

3A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "FQP3N80".

FQP3N30

La description: MOSFET N-CH 300V 3.2A TO-220

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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FQP3N80

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