FQP4N80

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Spécifications

Modèle de produit

FQP4N80
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.FQP4N80.pdf
2.FQP4N80.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-220AB
Séries

QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.6 Ohm @ 1.95A, 10V
Dissipation de puissance (max)

130W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-220-3
Autres noms

FQP4N80-ND
FQP4N80FS
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

35 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

880pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

800V
Description détaillée

N-Channel 800V 3.9A (Tc) 130W (Tc) Through Hole TO-220AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

3.9A (Tc)

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livraison
Mode de paiement

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Nous prenons en charge plusieurs méthodes de paiement, y compris les cartes de crédit, les transports en fil et d'autres options, et acceptons la plupart des devises.Pour les commandes passées en USD, des options de paiement supplémentaires sont disponibles.Pour plus de détails sur les méthodes et procédures de paiement, veuillez contacter notre équipe de vente.

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La description:

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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