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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > FQPF7N10L

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FQPF7N10L image

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FQPF7N10L

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Spécifications

Modèle de produit

FQPF7N10L
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 100V 5.5A TO-220F
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

FQPF7N10L.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-220F
Séries

QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

350 mOhm @ 2.75A, 10V
Dissipation de puissance (max)

23W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-220-3 Full Pack
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

290pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 5V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

100V
Description détaillée

N-Channel 100V 5.5A (Tc) 23W (Tc) Through Hole TO-220F
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

5.5A (Tc)

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Expédition

Paiement

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Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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FQPF7N65C

La description: MOSFET N-CH 650V 7A TO-220F

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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FQPF6N80C

La description: MOSFET N-CH 800V 5.5A TO-220F

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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FQPF6N90CT

La description: MOSFET N-CH 900V 6A TO-220F

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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