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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > FQPF9N30

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6833610

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FQPF9N30

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Spécifications

Modèle de produit

FQPF9N30
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 300V 6A TO-220F
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

FQPF9N30.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-220F
Séries

QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

450 mOhm @ 3A, 10V
Dissipation de puissance (max)

42W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-220-3 Full Pack
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

740pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

300V
Description détaillée

N-Channel 300V 6A (Tc) 42W (Tc) Through Hole TO-220F
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

6A (Tc)

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Expédition

Paiement

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