HUF76013P3

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Spécifications

Modèle de produit

HUF76013P3
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 20V 20A TO-220AB
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.HUF76013P3.pdf
2.HUF76013P3.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-220AB
Séries

UltraFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

22 mOhm @ 20A, 10V
Dissipation de puissance (max)

50W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-220-3
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

624pF @ 20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

20V
Description détaillée

N-Channel 20V 20A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

20A (Tc)

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "HUF76013P3".

HUF75842P3

La description: MOSFET N-CH 150V 43A TO-220AB

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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