IRLR210ATF

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Spécifications

Modèle de produit

IRLR210ATF
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 200V 2.7A DPAK
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IRLR210ATF.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

D-Pak
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5 Ohm @ 1.35A, 5V
Dissipation de puissance (max)

2.5W (Ta), 21W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

240pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

9nC @ 5V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

5V
Tension drain-source (Vdss)

200V
Description détaillée

N-Channel 200V 2.7A (Tc) 2.5W (Ta), 21W (Tc) Surface Mount D-Pak
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

2.7A (Tc)

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IRLR120PBF

La description: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay

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