IRLS640A

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Spécifications

Modèle de produit

IRLS640A
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 200V 9.8A TO-220F
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IRLS640A.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-220F
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

180 mOhm @ 4.9A, 5V
Dissipation de puissance (max)

40W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-220-3 Full Pack
Autres noms

IRLS640A-ND
IRLS640AFS
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

6 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1705pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

56nC @ 5V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

5V
Tension drain-source (Vdss)

200V
Description détaillée

N-Channel 200V 9.8A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220F
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

9.8A (Tc)

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livraison
Mode de paiement

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Nous prenons en charge plusieurs méthodes de paiement, y compris les cartes de crédit, les transports en fil et d'autres options, et acceptons la plupart des devises.Pour les commandes passées en USD, des options de paiement supplémentaires sont disponibles.Pour plus de détails sur les méthodes et procédures de paiement, veuillez contacter notre équipe de vente.

Ce qui suit est des produits liés à "IRLS640A".

IRLS4030-7PPBF

La description: MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)

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