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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaires (BJT) - Single > KSA1220AYS

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5762005

KSA1220AYS image

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

KSA1220AYS

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Spécifications

Modèle de produit

KSA1220AYS
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

TRANS PNP 160V 1.2A TO-126
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

KSA1220AYS.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

160V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

700mV @ 200mA, 1A
Transistor Type

PNP
Package composant fournisseur

TO-126
Séries

-
Puissance - Max

1.2W
Emballage

Bulk
Package / Boîte

TO-225AA, TO-126-3
Autres noms

KSA1220AYS-ND
KSA1220AYSFS
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

6 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition

175MHz
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor PNP 160V 1.2A 175MHz 1.2W Through Hole TO-126
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

160 @ 300mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

1µA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max)

1.2A
Numéro de pièce de base

KSA1220

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Expédition

Paiement

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