KSD2012YTU

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Spécifications

Modèle de produit

KSD2012YTU
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

TRANS NPN 60V 3A TO-220F
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

KSD2012YTU.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

1V @ 200mA, 2A
Transistor Type

NPN
Package composant fournisseur

TO-220F
Séries

-
Puissance - Max

25W
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-220-3 Full Pack
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition

3MHz
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 3A 3MHz 25W Through Hole TO-220F
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 500mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

100µA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max)

3A

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KSD2012GTU

La description:

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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