MGSF1P02LT1

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Spécifications

Modèle de produit

MGSF1P02LT1
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET P-CH 20V 750MA SOT-23
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

MGSF1P02LT1.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

SOT-23-3 (TO-236)
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

350 mOhm @ 1.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)

400mW (Ta)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Autres noms

MGSF1P02LT1OSTR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

130pF @ 5V
type de FET

P-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

20V
Description détaillée

P-Channel 20V 750mA (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

750mA (Ta)

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695D685X9050H2T

La description: CAP TANT 6.8UF 50V 10% 3015

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay

En stock

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Stal***e

2025/05/20

5.0

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