MJD117

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Spécifications

Modèle de produit

MJD117
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

MJD117.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

3V @ 40mA, 4A
Transistor Type

PNP - Darlington
Package composant fournisseur

DPAK
Séries

-
Puissance - Max

1.75W
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Température de fonctionnement

-65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Fréquence - Transition

25MHz
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100V 2A 25MHz 1.75W Surface Mount DPAK
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

1000 @ 2A, 3V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

20µA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

2A
Numéro de pièce de base

MJD117

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La description:

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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