MJD2955G

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Spécifications

Modèle de produit

MJD2955G
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

MJD2955G.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

8V @ 3.3A, 10A
Transistor Type

PNP
Package composant fournisseur

DPAK
Séries

-
Puissance - Max

1.75W
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms

MJD2955G-ND
MJD2955GOS
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

2 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition

2MHz
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 10A 2MHz 1.75W Surface Mount DPAK
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 4A, 4V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

50µA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

10A
Numéro de pièce de base

MJD2955

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Ce qui suit est des produits liés à "MJD2955G".

MJD29CTF

La description: TRANS NPN 100V 1A DPAK

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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