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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaires (BJT) - Single > MJL4281AG

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MJL4281AG image

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

MJL4281AG

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Spécifications

Modèle de produit

MJL4281AG
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

TRANS NPN 350V 15A TO264
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

MJL4281AG.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

350V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

1V @ 800mA, 8A
Transistor Type

NPN
Package composant fournisseur

TO-264
Séries

-
Puissance - Max

230W
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-264-3, TO-264AA
Autres noms

MJL4281AGOS
Température de fonctionnement

-65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

10 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition

35MHz
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor NPN 350V 15A 35MHz 230W Through Hole TO-264
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 5A, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

100µA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

15A

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Expédition

Paiement

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