MMBTA63LT1

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Spécifications

Modèle de produit

MMBTA63LT1
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT23
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

1.MMBTA63LT1.pdf
2.MMBTA63LT1.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 100µA, 100mA
Transistor Type

PNP - Darlington
Package composant fournisseur

SOT-23-3 (TO-236)
Séries

-
Puissance - Max

225mW
Emballage

Cut Tape (CT)
Package / Boîte

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Autres noms

MMBTA63LT1OSCT
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Fréquence - Transition

125MHz
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 30V 500mA 125MHz 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10000 @ 100mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

100nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max)

500mA
Numéro de pièce de base

MMBTA63

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Ce qui suit est des produits liés à "MMBTA63LT1".

MMBTA56WT1G

La description: TRANS PNP 80V 0.5A SC70-3

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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