MMDF1N05ER2

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Spécifications

Modèle de produit

MMDF1N05ER2
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

MMDF1N05ER2.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Package composant fournisseur

8-SOIC
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

300 mOhm @ 1.5A, 10V
Puissance - Max

2W
Emballage

Cut Tape (CT)
Package / Boîte

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms

MMDF1N05ER2OSCT
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

330pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

12.5nC @ 10V
type de FET

2 N-Channel (Dual)
Fonction FET

Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss)

50V
Description détaillée

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 50V 2A 2W Surface Mount 8-SOIC
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

2A
Numéro de pièce de base

MMDF1N05E

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Ce qui suit est des produits liés à "MMDF1N05ER2".

MMDF1N05ER2G

La description: MOSFET 2N-CH 50V 2A 8SOIC

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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