MMFT960T1G

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Spécifications

Modèle de produit

MMFT960T1G
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 60V 300MA SOT223
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

MMFT960T1G.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

SOT-223
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.7 Ohm @ 1A, 10V
Dissipation de puissance (max)

800mW (Ta)
Emballage

Cut Tape (CT)
Package / Boîte

TO-261-4, TO-261AA
Autres noms

MMFT960T1GOS
MMFT960T1GOS-ND
MMFT960T1GOSCT
Température de fonctionnement

-65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

65pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

3.2nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

60V
Description détaillée

N-Channel 60V 300mA (Tc) 800mW (Ta) Surface Mount SOT-223
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

300mA (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "MMFT960T1G".

MMFZ12T3G

La description: DIODE ZENER 12V 500MW SOD123

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

En stock

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