MMSF3P02HDR2G

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Spécifications

Modèle de produit

MMSF3P02HDR2G
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

MMSF3P02HDR2G.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

8-SOIC
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

75 mOhm @ 3A, 10V
Dissipation de puissance (max)

2.5W (Ta)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms

MMSF3P02HDR2GOS
MMSF3P02HDR2GOS-ND
MMSF3P02HDR2GOSTR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1400pF @ 16V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

46nC @ 10V
type de FET

P-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

20V
Description détaillée

P-Channel 20V 5.6A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

5.6A (Ta)

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MMSS8050-H-TP

La description:

Fabricant: MCC

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