MTD5P06VT4

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Spécifications

Modèle de produit

MTD5P06VT4
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET P-CH 60V 5A DPAK
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

MTD5P06VT4.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±15V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

DPAK
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

450 mOhm @ 2.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)

2.1W (Ta), 40W (Tc)
Emballage

Original-Reel®
Package / Boîte

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms

MTD5P06VT4OSDKR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

510pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V
type de FET

P-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

60V
Description détaillée

P-Channel 60V 5A (Tc) 2.1W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount DPAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

5A (Tc)

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MTD5010W

La description: PHOTO DIODE 850NM FLAT CLR TO-18

Fabricant: Marktech Optoelectronics

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