MUN2136T1G

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Spécifications

Modèle de produit

MUN2136T1G
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

MUN2136T1G.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type

PNP - Pre-Biased
Package composant fournisseur

SC-59
Séries

-
Résistance - Base de l'émetteur (R2)

100 kOhms
Résistance - Base (R1)

100 kOhms
Puissance - Max

230mW
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

10 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 230mW Surface Mount SC-59
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

100mA

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MUN2112T1G

La description: TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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