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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - tableaux > NDS9952A

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4470248

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NDS9952A

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Spécifications

Modèle de produit

NDS9952A
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

NDS9952A.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2.8V @ 250µA
Package composant fournisseur

8-SO
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

80 mOhm @ 1A, 10V
Puissance - Max

900mW
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms

NDS9952ATR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

39 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

320pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V
type de FET

N and P-Channel
Fonction FET

Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.7A, 2.9A 900mW Surface Mount 8-SO
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

3.7A, 2.9A

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Expédition

Paiement

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La description: MOSFET 2N-CH 30V 5A 8-SOIC

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