NIF9N05CLT1

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Spécifications

Modèle de produit

NIF9N05CLT1
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 52V 2.6A SOT223
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

NIF9N05CLT1.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 100µA
Vgs (Max)

±15V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

SOT-223
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

125 mOhm @ 2.6A, 10V
Dissipation de puissance (max)

1.69W (Ta)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-261-4, TO-261AA
Autres noms

NIF9N05CLT1OSTR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

3 (168 Hours)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

250pF @ 35V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 4.5V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

3V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

52V
Description détaillée

N-Channel 52V 2.6A (Ta) 1.69W (Ta) Surface Mount SOT-223
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

2.6A (Ta)

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Ce qui suit est des produits liés à "NIF9N05CLT1".

NIF5002NT1

La description: MOSFET N-CH 42V 2A SOT223

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

En stock

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