NJVMJD112G

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Spécifications

Modèle de produit

NJVMJD112G
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK-4
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

NJVMJD112G.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

3V @ 40mA, 4A
Transistor Type

NPN - Darlington
Package composant fournisseur

DPAK
Séries

-
Puissance - Max

1.75W
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Température de fonctionnement

-65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

5 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition

25MHz
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 2A 25MHz 1.75W Surface Mount DPAK
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

1000 @ 2A, 3V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

20µA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

2A

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "NJVMJD112G".

NJVMJB45H11T4G

La description: TRANS PNP 80V 10A D2PAK-3

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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