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1877853NSBA115TDP6T5G imageAMI Semiconductor / ON Semiconductor

NSBA115TDP6T5G

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Spécifications
  • Modèle de produit
    NSBA115TDP6T5G
  • Fabricant / marque
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    NSBA115TDP6T5G.pdf
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    250mV @ 5mA, 10mA
  • Transistor Type
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Package composant fournisseur
    SOT-963
  • Séries
    -
  • Résistance - Base de l'émetteur (R2)
    -
  • Résistance - Base (R1)
    100 kOhms
  • Puissance - Max
    408mW
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    SOT-963
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    14 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Fréquence - Transition
    -
  • Description détaillée
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 408mW Surface Mount SOT-963
  • Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    160 @ 5mA, 10V
  • Courant - Collecteur Cutoff (Max)
    500nA
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    100mA
  • Numéro de pièce de base
    NSBA1*

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NSBA114YDXV6T1G

NSBA114YDXV6T1G

La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
RFQ
NSBA123TDP6T5G

NSBA123TDP6T5G

La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
RFQ
NSBA123JDXV6T1G

NSBA123JDXV6T1G

La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
RFQ
NSBA123JDP6T5G

NSBA123JDP6T5G

La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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RFQ
NSBA114YF3T5G

NSBA114YF3T5G

La description: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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RFQ
NSBA115TF3T5G

NSBA115TF3T5G

La description: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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RFQ
NSBA114YDP6T5G

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La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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RFQ
NSBA123EDXV6T1

NSBA123EDXV6T1

La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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RFQ
NSBA114TDXV6T1

NSBA114TDXV6T1

La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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RFQ
NSBA114TDXV6T5

NSBA114TDXV6T5

La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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RFQ
NSBA123JDXV6T5G

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La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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RFQ
NSBA115EDXV6T1G

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La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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RFQ
NSBA123JDXV6T1

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La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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RFQ
NSBA114EF3T5G

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La description: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123

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RFQ
NSBA114TF3T5G

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La description: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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NSBA123EDXV6T1G

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La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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RFQ
NSBA123EF3T5G

NSBA123EF3T5G

La description: TRANS PREBIAS DUAL PNP

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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NSBA114TDP6T5G

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La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963

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NSBA114YDXV6T1

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La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

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La description: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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