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1219413NSBC123JDP6T5G imageAMI Semiconductor / ON Semiconductor

NSBC123JDP6T5G

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Spécifications
  • Modèle de produit
    NSBC123JDP6T5G
  • Fabricant / marque
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    NSBC123JDP6T5G.pdf
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Transistor Type
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Package composant fournisseur
    SOT-963
  • Séries
    -
  • Résistance - Base de l'émetteur (R2)
    47 kOhms
  • Résistance - Base (R1)
    2.2 kOhms
  • Puissance - Max
    339mW
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    SOT-963
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    2 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Fréquence - Transition
    -
  • Description détaillée
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 339mW Surface Mount SOT-963
  • Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    80 @ 5mA, 10V
  • Courant - Collecteur Cutoff (Max)
    500nA
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    100mA
  • Numéro de pièce de base
    NSBC1*

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NSBC123JDXV6T1

NSBC123JDXV6T1

La description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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RFQ
NSBC115TDP6T5G

NSBC115TDP6T5G

La description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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RFQ
NSBC123TDP6T5G

NSBC123TDP6T5G

La description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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RFQ
NSBC115TF3T5G

NSBC115TF3T5G

La description: TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT1123

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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RFQ
NSBC123JDXV6T5

NSBC123JDXV6T5

La description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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RFQ
NSBC123EPDXV6T1G

NSBC123EPDXV6T1G

La description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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RFQ
NSBC123EDXV6T1G

NSBC123EDXV6T1G

La description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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RFQ
NSBC123JPDXV6T1G

NSBC123JPDXV6T1G

La description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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RFQ
NSBC123JF3T5G

NSBC123JF3T5G

La description: TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT1123

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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RFQ
NSBC123TF3T5G

NSBC123TF3T5G

La description: TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT1123

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NSBC123EPDXV6T1

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La description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

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RFQ
NSBC123JPDXV6T1

NSBC123JPDXV6T1

La description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

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NSBC115TPDP6T5G

NSBC115TPDP6T5G

La description: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT963

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NSBC123JPDP6T5G

NSBC123JPDP6T5G

La description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963

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NSBC115EDXV6T1G

NSBC115EDXV6T1G

La description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

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NSBC123JPDXV6T5G

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La description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

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NSBC123EDXV6T1

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La description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

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NSBC123EF3T5G

NSBC123EF3T5G

La description: TRANS PREBIAS DUAL NPN

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NSBC115EPDXV6T1G

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La description: SS SOT563 RSTR XSTR TR

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NSBC123TPDP6T5G

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La description: TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT963

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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