NSS40302PDR2G

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Spécifications

Modèle de produit

NSS40302PDR2G
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

TRANS NPN/PNP 40V 3A 8SOIC
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

NSS40302PDR2G.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

115mV @ 200mA, 2A
Transistor Type

NPN, PNP
Package composant fournisseur

8-SOIC
Séries

-
Puissance - Max

653mW
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms

NSS40302PDR2G-ND
NSS40302PDR2GOSTR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

2 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition

100MHz
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 40V 3A 100MHz 653mW Surface Mount 8-SOIC
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

180 @ 1A, 2V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

100nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max)

3A

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Ce qui suit est des produits liés à "NSS40302PDR2G".

NSS60100DMTTBG

La description: TRANS 2PNP 60V 1A

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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