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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > NTD4302

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AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTD4302

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Spécifications

Modèle de produit

NTD4302
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

NTD4302.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

DPAK
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

10 mOhm @ 20A, 10V
Dissipation de puissance (max)

1.04W (Ta), 75W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2400pF @ 24V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

80nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

N-Channel 30V 8.4A (Ta), 68A (Tc) 1.04W (Ta), 75W (Tc) Surface Mount DPAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

8.4A (Ta), 68A (Tc)

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Expédition

Paiement

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Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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NTD4804N-1G

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