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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > NTD4906N-35G

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NTD4906N-35G image

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTD4906N-35G

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Spécifications

Modèle de produit

NTD4906N-35G
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 30V 10.3A SGL IPAK
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

NTD4906N-35G.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

I-PAK
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.5 mOhm @ 30A, 10V
Dissipation de puissance (max)

1.38W (Ta), 37.5W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-251-3 Stub Leads, IPak
Autres noms

NTD4906N-35G-ND
NTD4906N-35GOS
NTD4906N35G
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1932pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

N-Channel 30V 10.3A (Ta), 54A (Tc) 1.38W (Ta), 37.5W (Tc) Through Hole I-PAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

10.3A (Ta), 54A (Tc)

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Expédition

Paiement

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