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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > NTD5C648NLT4G

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NTD5C648NLT4G image

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTD5C648NLT4G

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Spécifications

Modèle de produit

NTD5C648NLT4G
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

T6 60V LL DPAK
État sans plomb / État RoHS
Livret des spécifications

NTD5C648NLT4G.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

DPAK
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.1 mOhm @ 45A, 10V
Dissipation de puissance (max)

4.4W (Ta), 76W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms

NTD5C648NLT4G-ND
NTD5C648NLT4GOSTR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

30 Weeks
Statut sans plomb

Lead free
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2900pF @ 30V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

60V
Description détaillée

N-Channel 60V 22A (Ta), 91A (Tc) 4.4W (Ta), 76W (Tc) Surface Mount DPAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

22A (Ta), 91A (Tc)

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