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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > NTD6600N-1G

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NTD6600N-1G image

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTD6600N-1G

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Spécifications

Modèle de produit

NTD6600N-1G
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 100V 12A IPAK
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

NTD6600N-1G.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

I-PAK
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

146 mOhm @ 6A, 5V
Dissipation de puissance (max)

1.28W (Ta), 56.6W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

700pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 5V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

5V
Tension drain-source (Vdss)

100V
Description détaillée

N-Channel 100V 12A (Ta) 1.28W (Ta), 56.6W (Tc) Through Hole I-PAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

12A (Ta)

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Expédition

Paiement

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NTD65N03R-035

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Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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NTD65N03R-1G

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NTD70N03R-001

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NTD65N03R-001

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NTD6416ANT4G

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NTD6600N-001

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NTD78N03

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NTD78N03-001

La description: MOSFET N-CH 25V 11.4A IPAK

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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NTD70N03RT4

La description: MOSFET N-CH 25V 10A DPAK

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