NTHD3100CT3

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Spécifications

Modèle de produit

NTHD3100CT3
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

NTHD3100CT3.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA
Package composant fournisseur

ChipFET™
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

80 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Puissance - Max

1.1W
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

8-SMD, Flat Lead
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

3 (168 Hours)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

165pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

2.3nC @ 4.5V
type de FET

N and P-Channel
Fonction FET

Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss)

20V
Description détaillée

Mosfet Array N and P-Channel 20V 2.9A, 3.2A 1.1W Surface Mount ChipFET™
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

2.9A, 3.2A
Numéro de pièce de base

NTHD3100C

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Ce qui suit est des produits liés à "NTHD3100CT3".

NTH567AD

La description: IC CHIP

Fabricant: Pulse Electronics Corporation

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