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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > NTLJS1102PTBG

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NTLJS1102PTBG image

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTLJS1102PTBG

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Spécifications

Modèle de produit

NTLJS1102PTBG
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET P-CH 8V 3.7A 6-WDFN
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

NTLJS1102PTBG.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

720mV @ 250µA
Vgs (Max)

±6V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

6-WDFN (2x2)
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

36 mOhm @ 6.2A, 4.5V
Dissipation de puissance (max)

700mW (Ta)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

6-WDFN Exposed Pad
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1585pF @ 4V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 4.5V
type de FET

P-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

1.2V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss)

8V
Description détaillée

P-Channel 8V 3.7A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WDFN (2x2)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

3.7A (Ta)

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Expédition

Paiement

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