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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - tableaux > NTLLD4951NFTWG

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NTLLD4951NFTWG image

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTLLD4951NFTWG

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Spécifications

Modèle de produit

NTLLD4951NFTWG
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/6.3A WDFN8
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

NTLLD4951NFTWG.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA
Package composant fournisseur

8-WDFN (3x3)
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

17.4 mOhm @ 9A, 10V
Puissance - Max

800mW, 810mW
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

8-PowerWDFN
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

6 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

605pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V
type de FET

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Fonction FET

Standard
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 5.5A, 6.3A 800mW, 810mW Surface Mount 8-WDFN (3x3)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

5.5A, 6.3A

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Paiement

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