NTMS4101PR2

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Spécifications

Modèle de produit

NTMS4101PR2
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET P-CH 20V 6.9A 8-SOIC
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

NTMS4101PR2.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

450mV @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

8-SOIC
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

19 mOhm @ 6.9A, 4.5V
Dissipation de puissance (max)

1.38W (Tj)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms

NTMS4101PR2OS
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

3200pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 4.5V
type de FET

P-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

2.5V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss)

20V
Description détaillée

P-Channel 20V 6.9A (Ta) 1.38W (Tj) Surface Mount 8-SOIC
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

6.9A (Ta)

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NTMS4177PR2G

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Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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