NTMS4P01R2

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Spécifications

Modèle de produit

NTMS4P01R2
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET P-CH 12V 3.4A 8-SOIC
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

NTMS4P01R2.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

1.15V @ 250µA
Vgs (Max)

±10V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

8-SOIC
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

45 mOhm @ 4.5A, 4.5V
Dissipation de puissance (max)

790mW (Ta)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms

NTMS4P01R2OS
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1850pF @ 9.6V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 4.5V
type de FET

P-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

2.5V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss)

12V
Description détaillée

P-Channel 12V 3.4A (Ta) 790mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

3.4A (Ta)

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Ce qui suit est des produits liés à "NTMS4P01R2".

NTMSD2P102R2SG

La description: MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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