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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > NTR4501NT3G

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NTR4501NT3G image

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTR4501NT3G

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Spécifications

Modèle de produit

NTR4501NT3G
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

NTR4501NT3G.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

SOT-23-3 (TO-236)
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

80 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Dissipation de puissance (max)

1.25W (Tj)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

200pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 4.5V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

1.8V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss)

20V
Description détaillée

N-Channel 20V 3.2A (Ta) 1.25W (Tj) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

3.2A (Ta)

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