RFD12N06RLE

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Spécifications

Modèle de produit

RFD12N06RLE
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 60V 18A IPAK
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

RFD12N06RLE.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±16V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-251AA
Séries

UltraFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

63 mOhm @ 18A, 10V
Dissipation de puissance (max)

40W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

485pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

60V
Description détaillée

N-Channel 60V 18A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-251AA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

18A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "RFD12N06RLE".

RFD21712

La description: BOARD 24L01 RF TXRX

Fabricant: RF Digital

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