RFD3055

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Spécifications

Modèle de produit

RFD3055
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

RFD3055.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-251AA
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

150 mOhm @ 12A, 10V
Dissipation de puissance (max)

53W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

300pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 20V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

60V
Description détaillée

N-Channel 60V 12A (Tc) 53W (Tc) Through Hole TO-251AA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

12A (Tc)

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RFD3055LESM9A

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