RFP40N10

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Spécifications

Modèle de produit

RFP40N10
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 100V 40A TO-220AB
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.RFP40N10.pdf
2.RFP40N10.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-220AB
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

40 mOhm @ 40A, 10V
Dissipation de puissance (max)

160W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-220-3
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

300nC @ 20V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

100V
Description détaillée

N-Channel 100V 40A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

40A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "RFP40N10".

RFPA3800TR7

La description: IC RF AMP GP 150MHZ-960MHZ 8SOIC

Fabricant: RFMD

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