RURD660

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Spécifications

Modèle de produit

RURD660
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 600V 6A TO251
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

RURD660.pdf
Modèle ECAD
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

1.5V @ 6A
Tension - inverse (Vr) (max)

600V
Package composant fournisseur

TO-251-2
La vitesse

Fast Recovery = 200mA (Io)
Séries

-
Temps de recouvrement inverse (trr)

60ns
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-251-2, IPak
Température d'utilisation - Jonction

-65°C ~ 175°C
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Type de diode

Standard
Description détaillée

Diode Standard 600V 6A Through Hole TO-251-2
Courant - fuite, inverse à Vr

100µA @ 600V
Courant - Rectifié moyenne (Io)

6A
Capacité à Vr, F

-

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "RURD660".

RURD660S9A-F085P

La description: UFR DPAK PN 6A 200V

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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