TIP112

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Spécifications

Modèle de produit

TIP112
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

TRANS NPN DARL 100V 2A TO-220
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.TIP112.pdf
2.TIP112.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

2.5V @ 8mA, 2A
Transistor Type

NPN - Darlington
Package composant fournisseur

TO-220-3
Séries

-
Puissance - Max

2W
Emballage

Bulk
Package / Boîte

TO-220-3
Autres noms

TIP112-ND
TIP112FS
TIP112OS
TIP112OS-ND
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition

-
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 2A 2W Through Hole TO-220-3
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

1000 @ 1A, 4V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

2mA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

2A
Numéro de pièce de base

TIP112

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TIP112

La description: TRANS NPN 100V TO220

Fabricant: Central Semiconductor

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