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416225ALD212904PAL imageAdvanced Linear Devices, Inc.

ALD212904PAL

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Spécifications
  • Modèle de produit
    ALD212904PAL
  • Fabricant / marque
    Advanced Linear Devices, Inc.
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    ALD212904PAL.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    20mV @ 10µA
  • Package composant fournisseur
    8-PDIP
  • Séries
    EPAD®, Zero Threshold™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    -
  • Puissance - Max
    500mW
  • Emballage
    Tube
  • Package / Boîte
    8-DIP (0.300", 7.62mm)
  • Température de fonctionnement
    0°C ~ 70°C (TJ)
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    8 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    -
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    -
  • type de FET
    2 N-Channel (Dual) Matched Pair
  • Fonction FET
    Logic Level Gate
  • Tension drain-source (Vdss)
    10.6V
  • Description détaillée
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 80mA 500mW Through Hole 8-PDIP
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    80mA

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Paiement
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ALD212900PAL

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Fabricant: Advanced Linear Devices, Inc.
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Fabricant: Advanced Linear Devices, Inc.
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ALD212900ASAL

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La description: MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC

Fabricant: Advanced Linear Devices, Inc.
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ALD212908ASAL

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La description: MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC

Fabricant: Advanced Linear Devices, Inc.
En stock
RFQ
ALD212908APAL

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La description: MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP

Fabricant: Advanced Linear Devices, Inc.
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ALD212904SAL

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La description: MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC

Fabricant: Advanced Linear Devices, Inc.
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